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Affichage 21 articles: FQPF3N80C à FR205 (Page 237 sur 1235)

Transistor FQPF3N80C
FQPF3N80C
5.38€ TTC
64 En stock
64 En stock

Transistor FQPF3N80C N-MOS 800V 3A/12Ap. 39W 4R(1.9A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 13nC. Low Crss 5.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A.

 
0
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Transistor FQPF4N90C
FQPF4N90C
5.26€ TTC
34 En stock
34 En stock

Transistor FQPF4N90C N-MOS 900V 4A/16Ap. 47W 2.7R(2.3A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 17nC. Low Crss 5.6pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A.

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor FQPF5N50C
FQPF5N50C
3.53€ TTC
60 En stock
60 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 5A/20Ap. 38W 1.14R (2.9A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FQPF5N50CYDTU. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 500V. Id(T:25): 5A. Puissance: 38 W. Id(T:100): 2.9A. Id(imp): 20 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs:

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor FQPF5N60C
FQPF5N60C
4.03€ TTC
296 En stock
296 En stock

Transistor FQPF5N60C N-MOS 600V 4.5A/18Ap. 33W 2R(2.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 15nC. Low Crss 6.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A.

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor FQPF7N80C
FQPF7N80C
9.13€ TTC
67 En stock
67 En stock

Transistor FQPF7N80C N-MOS 800V 6.6A Idm26.4A 56W 1.57R(4.2A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 10pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.6 A

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor FQPF85N06
FQPF85N06
9.13€ TTC
23 En stock
23 En stock

Transistor MOSFET canal N 60V 53A/212Ap 62W 0.008R (37.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220F. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 60V. Id(T:25): 53A. Puissance: 62 W. Id(T:100): 37.5A. Id(imp): 212 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Rds(on

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor FQPF8N60C
FQPF8N60C
6.33€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor FQPF8N60C N-MOS 600V 7.5A/30Ap 48W 1R(4.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 28nC. Low Crss 12pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A.

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor FQPF8N80C
FQPF8N80C
7.50€ TTC
645 En stock
645 En stock

Transistor FQPF8N80C N-MOS 800V 8A/32Ap. 59W 1.29R(5.1A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 35nC. Low Crss 13pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

 
0
Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQPF9N50CF
FQPF9N50CF
5.66€ TTC
46 En stock
46 En stock

Transistor MOSFET canal-N 500V 9A/36Ap 44W. Résistance passante RDSon : 0.65 Ohms (5.4A)

 
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Tarifs dégressifs

Transistor FQPF9N90C
FQPF9N90C
8.96€ TTC
67 En stock
67 En stock

Transistor FQPF9N90C N-MOS 900V 8A*IDp:32A* 68W 1.12R(2.8A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 14pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQT4N20LTF
FQT4N20LTF
1.85€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 0.85A/3.4Ap 2.2W. Résistance passante RDSon : 1.1 Ohms

 
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Transistor FQU11P06
FQU11P06
3.19€ TTC
33 En stock
33 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -9.4A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.15 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

 
 
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Transistor FQU20N06L
FQU20N06L
3.08€ TTC
35 En stock
35 En stock

Transistor MOSFET canal N 60V 17.2/70Ap 2.5W 38W 0.46R (10.9A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FQU20N06LTU. Type de boîtier: I-PAK (TO-251). Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 60V. Id(T:25): 17.2A. Puissance: 38 W. Id(T:100): 10.9A. Id(imp): 68.8 Ap. Idss (min): 1 uA

 
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Diode FR102
FR102
0.39€ TTC
46 En stock
46 En stock

Diode silicium 100V 1A. Trr: 150ns. 10pF. Boîtier DO-41. Fast Recovery Rectifier.

 
Quantité minimum: 10
0
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Diode FR103
FR103
0.39€ TTC
106 En stock
106 En stock

Diode silicium 200V 1A. Trr: 150ns. 10pF. Boîtier DO-41. Fast Recovery Rectifier.

 
Quantité minimum: 10
0
Tarifs dégressifs

Diode FR154
FR154
0.90€ TTC
4210 En stock
4210 En stock

Diode silicium 400V 1.5A. Trr: 150ns. Tension de seuil: 1.3V. Boîtier DO-15. Fast Switch.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode FR155
FR155
1.12€ TTC
266 En stock
266 En stock

Diode silicium FR155 600V 1.5A. Trr: 250ns. Tension de seuil: 1.3V. Boîtier DO-15. Fast Switch.

 
 
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Diode FR157
FR157
2.41€ TTC
13 En stock
13 En stock

Diode silicium FR157 1000V 1.5A. Trr: 500ns. Tension de seuil: 1.3V. Boîtier DO-15. Fast Switch.

 
 
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Diode FR1J
FR1J
0.50€ TTC
515 En stock
515 En stock

Diode silicium CMS 600V 1A. Trr<250ns. Boîtier: DO-214AC (SMA).

 
Quantité minimum: 2
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Diode FR1M
FR1M
0.50€ TTC
362 En stock
362 En stock

Diode silicium CMS 1000V 1A. Trr<500ns. Boîtier: DO-214AC (SMA).

 
Quantité minimum: 2
0
Tarifs dégressifs

Diode FR205
FR205
0.67€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Diode silicium 600V 2A. Trr: 250ns. 30pF. Boîtier DO-15 (3.2x7.2mm). Fast Recovery Rectifier.

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON